研究目的
研究高功率边发射半导体激光器在不同电流和温度水平下的内部光学损耗与内部量子效率。
研究成果
所展示的实验技术能够研究不同电流和温度条件下高功率激光器的内部光学损耗与内部量子效率。对比两种异质结构发现，采用未掺杂AlGaAs波导能更好地抑制内部量子效率下降，但会使内部光学损耗对电流更敏感。该技术具有进一步发展潜力，包括测量沿腔长方向的内部光学损耗分布及研究双光子吸收效应。
研究不足
该技术要求将探测光束精确耦合进激光样品波导中，任何误差都可能导致吸收测量不准确。样品自发射与探测发射之间的波长差被忽略，这可能引入误差。
1：实验设计与方法选择：
该技术通过将探测光束耦合进脉冲泵浦激光二极管的波导中，测量不同温度和泵浦电流水平下的自由载流子吸收（FCA）。
2：样品选择与数据来源：
使用了两种具有不同波导掺杂水平和材料的激光异质结构设计。
3：实验设备与材料清单：
实验装置包括一台探测激光二极管、带抗反射涂层的非球面透镜、长通滤光片、光学隔离器、光电二极管探测器以及用于成像的CMOS矩阵。
4：实验步骤与操作流程：
将探测光束耦合进激光样品波导，并测量其通过样品后的强度。根据有无泵浦时的强度差异计算吸收变化。
5：数据分析方法：
利用测量的吸收变化和样品的腔长计算内部光学损耗。
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