研究目的
研究现代GaAs LED异质结构中FCC深度分布的特殊性，并分析非均匀掺杂剖面测量情况下ECV技术的分辨率。
研究成果
ECV技术成功应用于研究具有单量子阱(SQW)和多量子阱(MQW)的GaAs/InGaAs异质结构。我们考察了电容剖析技术对未掺杂量子阱的局限性，并详细研究了"盲区"现象。对于多量子阱结构，检测到了来自6个量子阱的响应信号，证实了关于"盲区"的假设。
研究不足
由于量子阱位于p-n结电场最大值处，电容测量中存在一个"盲区"。德拜展宽效应和导电类型的变化，加上量子阱附近空间电荷区宽度急剧增加带来的限制，进一步加剧了这些测量难题。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用电化学电容-电压（ECV）剖面技术研究GaAs/InGaAs量子阱，通过测量电容-电压特性获取自由载流子浓度分布曲线。
2：样品选择与数据来源：
检测了5组用于制备红外发光二极管的GaAs异质结构样品，其掺杂水平和层宽存在差异。
3：实验设备与材料清单：
使用ECVPro（Nanometrics）进行FCC深度分布测量，0.1M鞣酸溶液作为电解液，部分实验采用安捷伦E4980A仪器，Solver NEXT原子力显微镜控制刻蚀深度与质量。
4：1M鞣酸溶液作为电解液，部分实验采用安捷伦E4980A仪器，Solver NEXT原子力显微镜控制刻蚀深度与质量。 实验流程与操作规范：
4. 实验流程与操作规范：测量在室温下进行，刻蚀电流维持在0.5mA/cm2量级，刻蚀步进为1纳米。ECV测量中偏压V值选取Mott-Schottky坐标系下C-V特性曲线的线性区段。
5：5mA/cm2量级，刻蚀步进为1纳米。ECV测量中偏压V值选取Mott-Schottky坐标系下C-V特性曲线的线性区段。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过电容-偏压关系曲线的导数计算FCC浓度，采用特定公式确定空间电荷区边缘位置。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Agilent E4980A
E4980A
Agilent
Used for determination of capacitance-voltage characteristics.
E4980A/E4980AL Precision LCR Meter
立即获取同款设备 -
ECVPro
Nanometrics
Used for FCC depth distribution measurements.
暂无现货
预约到货通知
-
Solver NEXT
NEXT
Atomic-force microscope used to control etching depth and quality.
暂无现货
预约到货通知
-
登录查看剩余1件设备及参数对照表
查看全部
