研究目的
通过催化加氢控制的应变工程，展示对单晶WO3应力状态的广泛且可逆的调控。
研究成果
该研究展示了一种通过氢插层控制氧化物基独立结构应力状态的新有效方法。此方法可逆向调控单晶三氧化钨微桥的机械性能，实现应力状态从拉伸到压缩的精细调节。
研究不足
该研究仅限于通过氢掺杂调控单晶WO3微桥的应力状态。掺杂过程的可逆性与可控性是关键制约因素。
1：实验设计与方法选择：
实验包括在SrTiO3衬底上生长单晶WO3薄膜，随后制备独立微桥。通过氢掺杂调控这些微桥的机械性能。
2：样品选择与数据来源：
采用在Ti终止面SrTiO3 (001)衬底上生长的50纳米厚单晶WO3薄膜。使用X射线衍射和扫描电子显微镜进行表征。
3：实验设备与材料清单：
装置包含具有可变气体环境、光学通路及样品温度控制的真空腔室。采用矢量网络分析仪进行机械测量。
4：实验步骤与操作流程：
将微桥暴露于20% H2/Ar混合气体中诱导氢插层，并测量其随时间变化的机械频谱。
5：数据分析方法：
通过有限元分析理解WO3微桥机械性能随应变的变化情况。
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Olympus microscope
UMPlan FI 100X/0.90
Olympus
Used to acquire optical images of the microbridges.
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WO3 thin film
Used as the primary material for the microbridges to study the effects of hydrogen doping on mechanical properties.
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SrTiO3 substrate
Used as the substrate for growing the WO3 thin film.
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Vector network analyzer
HP4395a
HP
Used for mechanical measurements of the microbridges.
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