研究目的
直接在适用于等离子体应用的透明导电基底上进行电沉积，从而省去种子层及其后续去除步骤。
研究成果
该研究表明，在无金籽晶层的导电氧化物上可实现金电沉积工艺，结构高度约100纳米时特征尺寸可达30纳米以下?；诖思际跻殉晒χ票赋龆嘀指咚实壤胱犹迥擅捉峁梗勺魑械榷嘀钟τ玫钠教?。
研究不足
该研究未讨论所提方法在工业应用中的可扩展性或所制备纳米结构的长期稳定性。
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通过导电氧化物上的电沉积实现等离子体纳米结构的垂直生长
DOI：10.1016/j.proeng.2017.11.151
期刊：Procedia Engineering
出版年份：2017
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
金属纳米结构具有多种有趣的特性和应用，尤其适合作为基于局域表面等离子体共振（LSPR）的生物化学物质折射率传感器的基底。金属沉积的常用方法是电子束蒸发，但该方法仅适用于高度在数十纳米量级的结构。构建更高结构的此类传感器能提供更大的结合表面积并增加相互作用体积。目前制备高结构的方法有限，最常见的是电沉积法——通常需在非导电基底上先镀一层待生长金属的籽晶层（可选配铬等金属的薄粘附层）。本研究提出直接在适用于等离子体应用的透明导电基底上进行电沉积，从而省去籽晶层及其后续去除步骤。
作者：
Aaron D Mueller，Landobasa YM Tobing，Yu Luo，Dao-Hua Zhang
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