研究目的
开发一种通过飞秒激光脉冲直写灵活微加工多层MoS2薄片的方法，以制备规则的MoS2纳米带阵列和任意图案的MoS2薄片形成微/纳结构，并研究这些结构的电子特性。
研究成果
采用飞秒激光直写技术对多层MoS2薄片进行非热改性，诱导分离的MoS2纳米带阵列，并任意图案化MoS2薄片以形成不同的MoS2微/纳结构。该方法证明了飞秒激光脉冲可直接诱导二维纳米结构、材料性能改变及新器件特性，未来或能实现基于MoS2的新型电子器件应用，如逻辑电路、互补电路、化学传感器和p-n二极管等。
研究不足
论文中未明确提及实验的技术和应用限制，以及潜在的优化领域。
1：实验设计与方法选择
采用飞秒激光直写技术对多层MoS2薄片进行改性，诱导分离的MoS2纳米带阵列，并任意图案化MoS2薄片以形成不同的MoS2微/纳结构。
2：样品选择与数据来源
多层MoS2薄片通过机械剥离法从天然晶体上剥离，并沉积在300nm-SiO2/Si衬底上。
3：实验设备与材料清单
飞秒激光加工系统、奥林巴斯显微镜、SPM-960原子力显微镜、日立扫描电子显微镜、雷尼绍InVia Reflex拉曼光谱仪、PHI Quantera X射线光电子能谱仪、蔡司Supra55扫描电镜、Raith图形发生器、吉时利4200半导体特性分析系统。
4：实验流程与操作步骤
飞秒激光束照射材料表面诱导材料表面等离子体（SPs），形成初始光栅结构。这些初始光栅结构辅助SPs与入射激光场的耦合，进而形成具有更深间隙的最终光栅结构。
5：数据分析方法
通过光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、EDX能谱映射、拉曼光谱和XPS光谱对激光加工后的MoS2薄片进行物理形貌和化学性质表征。使用吉时利4200半导体特性分析系统对制备的MoS2场效应晶体管进行电学测量。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Zeiss Supra55 SEM
Supra55
Zeiss
Standard electron-beam lithography
立即获取同款设备 -
Keithley 4200 semiconductor characterization system
4200
Keithley
Performing electrical measurements
暂无现货
预约到货通知
-
Olympus microscope
Olympus
Obtaining optical images
暂无现货
预约到货通知
-
SPM-960 AFM
SPM-960
Atomic force microscope characterization
暂无现货
预约到货通知
-
Hitachi scanning electron microscope
Hitachi
Obtaining SEM images and EDX mapping spectra
暂无现货
预约到货通知
-
Renishaw InVia Reflex spectrometer
InVia Reflex
Renishaw
Obtaining Raman spectra
暂无现货
预约到货通知
-
PHI Quantera X-ray photoelectron spectrometer
Quantera
PHI
Performing XPS spectra
暂无现货
预约到货通知
-
Raith pattern generator
Raith
Patterning the PMMA masks
暂无现货
预约到货通知
-
登录查看剩余6件设备及参数对照表
查看全部
