研究目的
研究在室温下沉积于高定向热解石墨（HOPG）基底上的超薄氧化钴薄膜的相互作用，重点关注生长初期阶段的界面物理/化学相互作用。
研究成果
研究表明，CoO润湿层的电子结构更接近二维HOPG衬底而非三维CoO体相，这影响了生长模式并促进了HOPG衬底的氧化。沉积的CoO覆盖层厚度可调控HOPG衬底的氧化程度。
研究不足
该研究聚焦于生长初期阶段及界面相互作用，可能无法完全反映不同条件或其他基底下的行为表现。所采用技术具有特定探测深度，这可能限制对深层区域或体相特性的认知。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过在室温氧气氛围中反应性热蒸发金属钴来生长氧化钴层。采用具有不同探测深度的多种X射线光谱技术对界面处的化学变化进行表征与分析。
2：样品选择与数据来源：
以高度取向热解石墨（HOPG）为基底。HOPG在空气中解理后，于超高真空条件下进行热退火以脱附可能的吸附物种。
3：实验设备与材料清单：
使用原子力显微镜（AFM）测定形貌，X射线吸收谱（XAS）和光电子能谱（PES）研究电子结构，并采用构型相互作用CoO6团簇模型进行光谱分析。
4：实验步骤与操作流程：
依次进行蒸发沉积，每步生长后采用相应表征技术分析样品。
5：数据分析方法：
采用构型相互作用CoO6团簇模型计算分析实验光谱。通过XAS和PES光谱研究界面处的电子结构与化学变化。
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