研究目的
利用激光分子束外延（LMBE）技术研究GaN薄膜的生长与表征，以实现GaN p-n结。
研究成果
采用激光分子束外延（LMBE）技术成功制备出具有优良结构和光学品质的氮化镓（GaN）薄膜。对该p-n结的电学分析显示其具有低开启电压的整流二极管特性，这凸显了利用LMBE技术实现基于GaN的光子器件的广阔前景。
研究不足
界面陷阱态可能改变p-n结的电学特性，导致适度的整流效应。
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激光分子束外延（LMBE）技术生长的GaN p-n结
DOI：10.1016/j.matpr.2018.05.018
期刊：Materials Today: Proceedings
出版年份：2018
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
采用激光分子束外延（LMBE）技术，在氮气氛围中以适中生长温度制备了氮化镓（GaN）薄膜，并优化了其结构与光学特性。通过超高真空LMBE技术生长的GaN薄膜与p型Mg:GaN/蓝宝石衬底成功构建了p-n结二极管。该p-n结器件展现出1.2V低开启电压的整流特性，凸显了LMBE技术在实现氮化镓基发光二极管方面的应用前景。
作者：
Sheetal Dewan，Monika Tomar，R.P. Tandon，Vinay Gupta
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