研究目的
为KY(WO4)2开发研磨抛光工艺以实现集成有源光学器件。
研究成果
针对KY(WO4)2材料开发了一套研磨抛光工艺，在抛光后实现了0.88纳米的表面粗糙度和26.0米的曲率半径。但将该工艺可靠应用于集成光学器件中的薄型玻璃基KY(WO4)2样品仍需进一步研究。
研究不足
该工艺已成功应用于厚KY(WO4)2样品（>300微米），但由于缺陷和应力问题，在薄层（<300微米）应用中仍存在挑战。需进一步优化以实现无缺陷且高平整度的薄层。
1：实验设计与方法选择：
本研究致力于开发KY(WO4)2晶体的研磨抛光工艺，在玻璃基板上制备用于集成光学器件的薄层无缺陷薄膜。该工艺通过将晶体样品键合至玻璃基板并减薄至目标厚度来实现。
2：样品选择与数据来源：
采用尺寸为10毫米×10毫米×1毫米的KY(WO4)2样品，单面经光学抛光处理，另一面为低等级抛光。
3：实验设备与材料清单：
实验设备包含Logitech公司的PM5精密研磨抛光机、铸铁盘与聚氨酯盘，以及多种研磨抛光颗粒（Al2O3、CeO2、SiO2）。
4：CeOSiO2）。 实验流程与操作规范：
4. 实验流程与操作规范：工艺流程包含粗磨、中磨、精磨阶段及后续抛光工序。样品固定于超平行平板上，在受控条件下进行研磨抛光。
5：数据分析方法：
采用原子力显微镜(AFM)和轮廓仪测量表面粗糙度与曲率。
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获取完整内容-
Atomic Force Microscope
Fast Scan
Bruker
Used to measure surface roughness of polished KY(WO4)2 samples.
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Profilometer
Dektak 8
Veeco
Used to measure the curvature of polished KY(WO4)2 samples.
-
SiO2 suspension
OP-U
Struers
Used for polishing KY(WO4)2 samples.
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PM5 precision lapping and polishing machine
PM5
Logitech
Used for lapping and polishing KY(WO4)2 samples to achieve thin, defect-free layers.
-
Cast Iron Disk
Used for lapping KY(WO4)2 samples.
-
Polyurethane Disk
1LPE1-0600
Logitech
Used for polishing KY(WO4)2 samples.
-
Al2O3 particles
Used as lapping particles for KY(WO4)2 samples.
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CeO2 slurry
0CON-023
Logitech
Used for pre-polishing KY(WO4)2 samples.
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