研究目的
分析不同的限制结构，以实现具有渐变折射率分离限制异质结构的双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器更高的光电性能。
研究成果
研究表明光电特性显著提升，尤其在基区铝摩尔分数改变的结构中。预计截止频率提高1.5 GHz，阈值电流降低20%，交流电流增益提升两倍以上。建议进一步研究探索超低功耗混合光子结构的额外改进方案。
研究不足
该研究基于一阶模型，忽略了诸多可能影响结果的寄生因素。需进一步研究探索其他改进方案，例如采用多量子阱替代双量子阱作为有源区。
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具有渐变折射率基区的高性能双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器设计
DOI：10.1007/s00340-019-7322-9
期刊：Applied Physics B
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
分析了不同的限制结构，以实现具有渐变折射率分离限制异质结构的双量子阱垂直腔面发射晶体管激光器更高的光电性能。在电流密度的扩散项中加入漂移分量并求解新方程组后，获得了该器件改进的电光性能。对原始结构进行带隙工程预测，可同时提升电流增益（超过两倍）和-3 dB光学带宽（提高1.5 GHz）。通过在基区应用AlξGa1-ξAs渐变层，其他虽非关键但重要的性能指标（包括光输出功率和阈值电流）也获得最高达20%的改善。
作者：
Behzad Namvar，Mohammad Hosseini，Hassan Kaatuzian，Iman Taghavi
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