研究目的
研究红外（IR）辐射和电阻预加热硅片对非晶硅-晶体硅（a-Si:H/c-Si）异质结太阳能电池电学性能的影响。
研究成果
红外辐射加热有助于避免J-V特性曲线中的S形现象，但会增加体缺陷态，从而限制整体器件性能。电阻加热能提供更好的非晶硅/晶体硅界面钝化效果，但因带阶问题会导致S形特性曲线。该研究表明预热方法对确定SHJ太阳能电池电学特性的重要性。
研究不足
本研究仅限于分析采用特定预热方法（红外辐射和电阻加热）制备的SHJ电池，未探索其他潜在的预热技术或材料。未研究其他制备参数变化对电池性能的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过在沉积非晶硅氢（a-Si:H）层前，采用不同硅片预热方式（红外辐射加热与电阻加热）制备异质结太阳能电池（SHJ）。
2：样品选择与数据来源：
使用具有特定电阻率、体少子寿命及厚度的n型单晶硅片。
3：实验设备与材料清单：
射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统、直流磁控溅射系统、Oriel Sol3A AAA级太阳光模拟器、Keithley 2400源测量系统、Sinton WCT-120TS测量系统、SpeQuest量子效率测试系统、CCS-400低温恒温器。
4：实验流程与操作步骤：
SHJ电池制备、AM1.5G光照条件下的器件表征、Suns-Voc分析、量子效率测试、温度相关的暗态J-V特性测量。
5：5G光照条件下的器件表征、Suns-Voc分析、量子效率测试、温度相关的暗态J-V特性测量。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过分析J-V特性曲线、Suns-Voc图表、量子效率光谱及温度相关的暗态J-V特性，探究载流子传输机制。
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