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基于β-Ga?O?的双通道日盲紫外光电探测器

DOI:10.1002/pssa.201900444 期刊:physica status solidi (a) 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 研究了β-Ga2O3单晶的光电导(PC)特性。在230-270纳米的紫外波段检测到一个复合光电导能带。当光波电矢量E相对于β-Ga2O3晶体b轴分别呈现E∥b和E⊥b取向时,偏振光下记录的光电导光谱存在差异。利用这种光电导各向异性,研制出双通道紫外光电探测器,其最大通道灵敏度中心分别位于245纳米(E∥b取向)和262纳米(E⊥b取向)。估算了该紫外光电探测器的灵敏度等关键参数。
作者: Andriy Luchechko,Vyacheslav Vasyltsiv,Lyudmyla Kostyk,Bohdan Pavlyk
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研究概述 实验方案 设备清单

为获得具有高光电导率的氧化镓晶体,并研究230-800纳米波长范围内非偏振光与偏振光条件下光电导(PC)的光谱依赖性,同时利用β-Ga2O3晶体和偏振片构建具有230-250纳米与250-270纳米两个感光波段的双通道紫外探测器。

已获得β-Ga2O3的光敏单晶并研究了其光电导光谱,揭示出其在紫外区具有高光敏性及显著各向异性。利用该各向异性特性,制备了针对特定光谱范围的选择性双通道紫外探测器。

该研究承认需要进一步研究来解释氧化镓光学和光电导特性各向异性的本质,表明目前的理解可能无法完全解释所有观察到的现象。

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