研究目的
探索通过旋涂掺杂剂（SoD）与脉冲激光熔融（PLM）相结合形成的n+/p结材料特性，作为锗基器件的一种低成本替代掺杂技术。
研究成果
研究表明，通过脉冲激光熔融（PLM）与固态扩散（SoD）相结合的方式对锗进行磷掺杂，可实现高激活率、良好迁移率和低薄层电阻，有望成为制造锗基器件的低成本替代方案。研究还确定了实现最佳电学性能的最优激光参数条件。
研究不足
研究指出，在PLM过程中与SoD层存在相关的额外失活机制需要进一步探究。高化学浓度下活性浓度的饱和表明，采用此方法实现更高掺杂水平存在局限性。
1：实验设计与方法选择：
研究采用p型锗晶圆作为基底，在沉积自组装单层（SoD）前去除有机物和氧化锗。通过旋涂法沉积磷基SoD，随后固化以蒸发残留溶剂。样品采用不同能量密度和脉冲次数的KrF激光进行退火处理。
2：样品选择与数据来源：
使用电阻率为1 Ω cm的2英寸p型锗晶圆，采用磷浓度为5×102?原子/cm3的SoD材料。
3：实验设备与材料清单：
相干COMPex 201型KrF激光器、CAMECA公司的二次离子质谱仪（SIMS）、MMR技术公司的范德堡-霍尔测量装置、帕纳科X'PERT PRO高分辨X射线衍射仪（HRXRD）以及Nanoscope III型原子力显微镜（AFM）。
4：实验流程与操作步骤：
完成SoD沉积和固化后，在不同参数条件下进行激光退火。随后去除SoD薄膜，对样品进行掺杂分布、电学性能及晶体质量表征。
5：数据分析方法：
采用SIMS分析掺杂分布，范德堡-霍尔法测定电学特性，HRXRD评估晶体质量，AFM观测表面形貌。
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