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镍掺杂氧化锌纳米棒阵列的制备及其在紫外光探测器中的应用特性研究

DOI:10.1149/1945-7111/ab7d43 期刊:Journal of The Electrochemical Society 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: 本研究探究了不同镍(Ni)掺杂量氧化锌(ZnO)纳米棒(NRs)的结构形貌、晶格及光学特性。采用射频磁控溅射技术在康宁玻璃基底上生长100 nm ZnO籽晶层,并通过化学浴沉积法制备纳米棒阵列。EDX光谱检测显示样品镍浓度为1.06 at%。所有纳米棒均呈现六方纤锌矿结构并沿c轴择优生长?;诮鹗?半导体-金属(MSM)结构,通过光刻工艺制备了镍掺杂氧化锌(NZO)纳米棒紫外光电探测器(PDs),经500°C退火处理后获得优异性能并降低氧空位(~560 nm)。结果表明:NZO纳米棒对紫外PD应用具有卓越的光敏性,其上升/衰减时间快于纯ZnO。当施加3V偏压并采用380nm紫外光照时,不同镍含量(0、4和8 mM)ZnO PDs的灵敏度分别为71.45、393.04和238.75。
作者: Yen-Lin Chu,Liang-Wen Ji,Yu-Jen Hsiao,Hao-Ying Lu,Sheng-Joue Young,I-Tseng Tang,Tung-Te Chu,Xin-Jia Chen
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研究概述 实验方案 设备清单

研究镍掺杂氧化锌纳米棒阵列的制备与表征及其在紫外光探测器中的应用。

NZO纳米棒在紫外光电探测器应用中展现出优异的光敏性,其上升/衰减时间比纯ZnO更快。研究发现最佳镍含量为4 mM,此时灵敏度最高。该研究表明NZO纳米棒在紫外光探测器领域具有应用潜力。

该研究的局限性在于所采用的特定镍掺杂浓度(0、4和8 mM)以及500°C的退火温度。光电探测器的性能可能因不同的掺杂水平和退火条件而有所变化。

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