研究目的
研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xMgxO（ZMO）作为溶液法量子点发光二极管（QLEDs）的电子传输层（ETL），并验证镁含量对电子电流抑制及器件效率的影响。
研究成果
溶胶-凝胶法制备的ZMO薄膜经150°C退火处理后，可作为量子点发光二极管（QLED）的高效电子传输层（ETL）。镁掺杂能改善电荷平衡并减少激子猝灭现象。优化后的器件实现了5.74%的最大外量子效率（EQE）和18 cd·A?1的电流效率，证实了ZMO在光电器件中的应用潜力。
研究不足
该研究受限于溶胶-凝胶工艺固有的变异性以及实现均匀掺杂浓度的挑战。低温退火可能无法完全去除有机残留物，从而影响薄膜特性和器件性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过溶胶-凝胶法制备ZMO薄膜，掺入不同镁浓度以研究其对电子传输特性和器件性能的影响。
2：样本选择与数据来源：
制备并表征了镁含量（0%至20%）不同的ZMO薄膜。使用这些薄膜作为电子传输层（ETL）制备QLED器件。
3：实验设备与材料清单：
使用醋酸锌二水合物、醋酸镁四水合物、单乙醇胺、2-甲氧基乙醇等材料制备薄膜。器件采用ITO衬底、PMA、poly-TPD、PVK、量子点及ZMO层制备。
4：实验步骤与操作流程：
将ZMO薄膜旋涂于玻璃衬底上并退火。QLED器件在手套箱中制备，各层依次沉积并在指定温度下退火。
5：数据分析方法：
通过光学吸收、光致发光（PL）、原子力显微镜（AFM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外光电子能谱（UPS）及器件性能测试分析薄膜与器件。
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