研究目的
开发用于功率电子应用的常关型GaN垂直沟槽MOSFET。
研究成果
开发了一种常关型GaN垂直沟槽MOSFET，其阈值电压为4.8V，在0V栅极偏压下阻断电压达600V，10V栅极偏压时导通电阻为1.7Ω。该器件特性通过AlN/SiN栅介质工艺和源极再生长工艺实现，以确保良好的体区接触。
研究不足
大单元间距尺寸和/或沟道电阻是总导通电阻的限制因素。通过减小单元间距尺寸、改善介电/半导体界面质量以及优化漂移层生长条件以提高电子迁移率，可以实现总导通电阻的降低。
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[2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2019.8.19-2019.8.21)] 2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 红外LED场景投影仪定制支持电子设备的小批量生产与测试
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DOI：10.1109/rapid.2019.8864426
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本信件报道了一种具有常关特性的氮化镓垂直沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。通过选择性区域再生长n+型氮化镓源极层，避免了等离子体刻蚀对p型氮化镓体接触区的损伤。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的氮化铝/氮化硅介质叠层作为栅极"氧化层"。该独特工艺制备的0.5平方毫米有源区晶体管具有4.8V阈值电压、零栅压下600V耐压以及10V栅压下1.7欧姆导通电阻的特性。
作者：
Ray Li，Yu Cao，Mary Chen，Rongming Chu
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