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含1-3纳米电活性石墨烯量子点的氟化石墨烯纳米颗粒

DOI：10.1088/1361-6528/ab83b8 期刊：Nanotechnology 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 报道了一种制备新型局部纳米结构石墨烯基材料的新视角方法。我们研究了通过高能氙离子纳米化处理部分氟化石墨烯（FG）悬浮液所得薄膜的电学与结构特性。研究表明，离子径迹中的局部冲击加热是引发材料变化的主要驱动力。离子辐照导致局部热膨胀的FG形成，并进一步碎裂为嵌入小尺寸（约1.5-3纳米）石墨烯量子点（带隙估算为1-1.5电子伏特）的纳米级颗粒。该方法进一步应用于校正印刷型FG基交叉杆忆阻器的功能特性。具有微小量子点的介电FG薄膜因其稳定性和优异性能，在石墨烯基电子器件领域展现出应用前景。
作者： Nadezhda A. Nebogatikova，Irina V. Antonova，Artem I. Ivanov，Victor A. Demin，Dmitry G. Kvashnin，Andrzej Olejniczak，Anton K. Gutakovskii，Kateryna A. Kornieieva，Paul L.J. Renault，Vladimir Skuratov，Leonid A. Chernozatonskii
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

通过高能氙离子辐照部分氟化石墨烯薄膜，研究局部纳米结构石墨烯基材料的制备及其特性。

研究成果

研究表明，高能离子辐照能有效对氟化石墨烯薄膜进行纳米结构化处理，从而形成具有优异电学性能的石墨烯量子点。该方法在基于石墨烯的电子器件（包括忆阻器）领域具有潜在应用价值。

研究不足

该研究的局限性在于离子辐照的特定条件以及所使用的氟化石墨烯薄膜的特性。研究指出，辐照过程和薄膜制备方法存在优化潜力。

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