研究目的
评估采用IGZO电荷存储层的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管非易失性存储器件在多级单元存储器应用中的性能。
研究成果
采用非晶氧化铟镓锌（a-IGZO）电荷存储层的a-IGZO薄膜晶体管存储器件展现出稳定的多级存储状态、优异的电学可编程与擦除特性，以及良好的耐久性和数据保持能力，使其在柔性透明电子器件领域具有应用前景。
研究不足
该研究未涉及存储器件在商业应用中的长期稳定性和可扩展性。其制备工艺需要对沉积和刻蚀参数进行精确控制。
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[IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019年6月23日-2019年6月27日）] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 光纤激光驱动的50毫瓦平均功率气体等离子体太赫兹产生技术
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[IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019年6月23日-2019年6月27日）] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 光纤激光驱动的50毫瓦平均功率气体等离子体太赫兹产生技术
DOI：10.1109/cleoe-eqec.2019.8871500
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
首次评估了具有IGZO电荷存储层的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管非易失性存储器件在多级单元存储应用中的性能。原始器件定义为初始状态（OS），经正栅极电压脉冲（如12V持续10ms）可切换至编程状态（PS），经负栅极电压脉冲（如-15V持续10ms）可切换至擦除状态（ES）。写入机制归因于正栅极偏压下电子从沟道向电荷存储层的福勒-诺德海姆隧穿效应，以及负栅极偏压下的反向隧穿效应。该器件展现出优异的电学可编程与擦除特性：经历100次编程/擦除循环后，OS与PS间仍保持2.4V存储窗口，OS与ES间亦维持2.66V存储窗口；在10^5秒保持时间内，相对于OS的存储窗口分别为PS的1.91V和ES的1.30V。
作者：
Wen-Peng Zhang，Shi-Bing Qian，Wen-Jun Liu，Shi-Jin Ding，David Wei Zhang
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