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孔径工程与外加电场对碱金属原子和离子在原始及含缺陷六方氮化硼(h-BN)片层中可控渗透的协同效应

DOI:10.1039/C9NJ03962G 期刊:New Journal of Chemistry 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 研究了碱金属原子和离子在有无水和电场条件下,通过正常及缺陷六方氮化硼的渗透与选择性。缺陷类型包括单原子空位(VB & VN)、双原子空位(VBN)和三原子空位(VN2B)。h-BN片层中孔隙(缺陷)的形貌与尺寸显著影响能垒。结果表明具有合适孔径的h-BN片层对Li/Li+具有良好的选择性。锂原子通过VN2B-h-BN的渗透几乎是无势垒过程(1.75 kcal mol?1)。此外,VBN h-BN纳米片在室温下能选择性允许锂原子通过,最高选择性比达1.58 × 1013。水分子的存在会提高碱金属原子的渗透势垒,其对缺陷h-BN纳米片上碱金属原子渗透的影响比碱金属离子更为显著。垂直于h-BN片层施加的电场可进一步降低渗透势垒,例如在H2O–VB h-BN–H2O体系中,电场使锂渗透的能垒从34 kcal mol?1降至31 kcal mol?1。这些研究可拓展至探究多孔六方氮化硼纳米片对其他金属原子和离子的分离能力。
作者: Sajida Munsif,Naveen Kosar,Muhammad Ali Hashmi,Tariq Mahmood,Mazhar Amjad Gilani,Khurshid Ayub
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研究概述 实验方案 设备清单

研究碱金属原子和离子在不同条件下(有无水和电场)通过原始及含缺陷六方氮化硼(h-BN)片的渗透性和选择性。

研究表明,碱金属原子和离子通过六方氮化硼(h-BN)片的渗透性和选择性显著受到缺陷性质与尺寸、水分子存在以及外加电场的影响。具有适当孔径的h-BN片展现出良好的锂/锂离子选择性,且通过施加电场可进一步降低渗透能垒。

该研究仅限于理论计算,未包含实验验证。其他外部因素(如压力)的影响未被考虑。

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