研究目的
为航空电子应用设计一款高亮度全彩10微米间距LED微显示器，重点关注增强现实光学系统头戴式显示器的规格要求。
研究成果
研究表明，若能实现外部量子效率稳定在30%的色彩转换方案，现有GaN微LED技术有望达到35万cd/m2的白光发光强度。未来研究应聚焦于开发更高外量子效率的材料。
研究不足
驱动电路的固有局限性（每个像素4V、15μA）以及对实现更高外量子效率(EQE)材料的需求被确认为主要制约因素。
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为增强现实头显设计适用于极亮环境的全彩LED微显示器尺寸
DOI：10.1002/jsid.884
期刊：Journal of the Society for Information Display
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本文聚焦于航空电子应用中一款超高亮度全彩10微米间距发光二极管（LED）微显示器的尺寸设计?；谠銮肯质倒庋低乘猛反魇较允酒鞯墓娓褚?，提出了一种理论方法，可预测微显示器制造工艺流程中主要技术?？榈墓娓癫问Ｍü酆峡悸蔷】赡芴导实母骼嗖牧嫌牍ひ詹问?，能够评估超高亮度LED微显示器（全白光100万坎德拉/平方米）的可行性并指出主要限制因素。随后将理论规格与H2020"清洁天空"HILICO项目迄今取得的技术成果进行对比，结果表明：若采用外量子效率稳定在30%的色彩转换方案，现有氮化镓（GaN）微LED技术可实现35万坎德拉/平方米的白光发射。要突破该亮度水平，需采用能实现更高外量子效率（EQE）的材料——具体而言，需要电致发光EQE达15%、色彩转换EQE接近60%的10微米间距微LED，这为未来具有挑战性的材料与技术研发指明了方向。
作者：
Etienne Quesnel，Marianne Consonni，Aurélien Suhm，Badhise Ben Bakir，Michele D'Amico，Philippe Coni，Patrick Demars，Nicolas Olivier，Edgar Cao，Alexandre Lagrange，Myriam Tournaire，Margaux Vigier，Valentin Le Marchand，Jean-Christophe Pillet，Eric Feltin，Jean Michel Lamy，Laurent Charrier，Gunther Haas
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