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关于GaN基LED效率下降的建议

DOI：10.1088/1757-899X/729/1/012003 期刊：IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 基于氮化铟镓/氮化镓（InGaN/GaN）的发光二极管（LED）在现代社会和工业的多个领域得到广泛应用。然而，InGaN/GaN LED存在效率下降问题：在高电流注入时内部效率会降低。这种效率下降现象严重影响氮化镓基LED器件在效率和光输出方面的发展。因此，改善效率下降问题已成为重要研究课题。本文基于不同假说（包括俄歇复合、载流子离域和电子泄漏），介绍了效率下降现象的几种可能机制。此外，还将讨论并分析一些缓解效率下降的方案，包括半极性LED、电子阻挡层（EBL）、四元合金和芯片设计，并针对每个方案为进一步优化效率下降问题提供建议。
作者： Jixiang Ding
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研究概述 实验方案

研究目的

研究基于氮化镓的发光二极管中效率下降现象背后的机制，并提出缓解这一现象的解决方案。

研究成果

基于氮化镓的LED中的效率下降是一个复杂现象，可能由多种相互关联的因素引起，包括俄歇复合、载流子离域和电子泄漏。半极性LED、电子阻挡层、四元合金和芯片设计等提出的解决方案显示出前景，但需要进一步优化和研究才能完全解决效率下降问题。

研究不足

该论文承认关于导致效率下降的主要机制仍存在持续争论，并指出需要进一步研究以优化现有解决方案，例如电子阻挡层（EBL）的适用电流范围、四元合金的生长方法以及微芯片设计的改进。

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