研究目的
研究某种特定草药对特定疾病的治疗效果。
研究成果
该研究成功展示了一种新型忆阻器件——在低电压下呈现电容耦合忆阻行为，在高电压下则表现为常规忆阻行为。基于该器件设计出可编程无源滤波器，展现了其在模拟电路设计中的应用潜力。这项研究为纳米器件技术的高效灵活设计开辟了道路，但也承认需要进一步提升器件性能和可重复性。
研究不足
该研究指出，编程不精确和器件差异是基于忆阻器设计中的主要挑战，会影响低通滤波器的理想性能。研究特别强调，周期间性能差异和器件间差异是需要改进的领域，以实现更稳定、可复现的器件性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用纳米层状TiO2与枫叶（ML）作为功能层制备忆阻器件，通过施加不同电压范围测试其电容与忆阻特性。
2：样本选择与数据来源：
样品制备流程为依次使用丙酮、乙醇和异丙醇清洗玻璃基底，随后沉积Al底电极、ML薄膜、TiO2层及Ag顶电极。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于电极沉积的溅射仪、ML薄膜旋涂装置及电学表征系统；材料包含TiO2、ML粉末、Al和Ag。
4：ML粉末、Al和Ag。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：以恒定速率对器件施加0V至不同最大电压（1.0V-7.0V）的电压扫描，观测I-V特性曲线。
5：0V-0V）的电压扫描，观测I-V特性曲线。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过线性与对数坐标分析I-V曲线以识别电容与忆阻行为，并采用线性外推法拟合曲线特定区段。
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TiO2
Used as part of the functional layer in memristive devices to demonstrate capacitive and memristive effects.
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Maple leaves (ML)
Combined with TiO2 to form a functional layer inside memristive devices, contributing to the device's environmental friendliness and sustainability.
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Ag
Used as the top electrode in the memristive device structure.
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Al
Used as the bottom electrode in the memristive device structure.
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