研究目的
研究极紫外（EUV）光刻胶材料中化学过程的基本原理，以推动极紫外光刻技术的发展。
研究成果
该研究对酚类极紫外光刻胶材料的气相单体单元进行了全面的实验表征，揭示了卤素取代基对光吸收和电子产额的影响。该研究强调了理解电子发射和分子碎裂过程对于设计高效极紫外光刻胶的重要性。
研究不足
该研究聚焦于抗蚀剂材料的气相类似物，这些材料可能无法完全复现凝聚相抗蚀剂薄膜的行为。研究指出，直接观测薄层凝聚相抗蚀剂薄膜中吸收极紫外光子所引发反应存在技术挑战。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用光电子能谱、质谱和离解电子附着技术，研究极紫外光刻胶单体单元的气相类似物。
2：样品选择与数据来源：
选取卤代甲基苯酚和一种光酸产生剂类似物进行研究。样品通过扩散或电阻加热方式引入。
3：实验设备与材料清单：
先进光源（ALS）光束线、光电子能谱仪、飞行时间质谱仪、电子枪。
4：实验步骤与操作流程：
在不同条件下（包括不同光子能量和电子动能）收集光电子能谱和质谱。
5：数据分析方法：
通过分析光电子能谱确定电子动能和产额，通过分析质谱识别碎片化路径。
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Advanced Light Source
ALS
Lawrence Berkeley National Laboratory
Source of tunable EUV radiation
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Photoelectron spectrometer
VMI
Measurement of kinetic energies and angular distributions of emitted electrons
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Time-of-flight mass-spectrometer
Collection of mass-spectra with high resolving power
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Electron gun
Source of electrons for mass-spectrometry and dissociative electron attachment experiments
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Photodiode
SXUV-100
Determination of photon flux
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