研究目的
研究CdSe纳米片和量子点的发光线宽展宽特性，以应用于白光LED（w-LED）。
研究成果
核心CdSe纳米片层（NPLs）的窄带宽归因于极窄的非均匀线宽，而非更强的激子-声子耦合。尽管存在较大热位移，CdSe NPLs仍展现出应用于w-LED和显示器的卓越光谱特性。
研究不足
该研究仅限于CdSe纳米结构，未探索其他半导体材料。已指出NPLs在w-LED应用中存在高温稳定性和色偏问题等潜在局限性。
1：实验设计与方法选择：
记录了核壳结构CdSe纳米片（NPLs）和量子点（QDs）在不同温度范围（4至423 K）下的发射光谱，以研究均匀展宽和非均匀展宽的贡献。
2：样品选择与数据来源：
合成了不同尺寸和壳层厚度的CdSe QDs和NPLs。使用爱丁堡FLS920光谱仪记录光致发光（PL）光谱。
3：实验设备与材料清单：
牛津仪器液氦低温恒温器、林克姆高温样品台、滨松R928光电倍增管探测器、450 W氙灯。
4：实验步骤与操作流程：
对发射光谱进行检测系统灵敏度校正，并转换为每个能量间隔的光子通量。
5：数据分析方法：
通过测量峰值强度一半处的光谱宽度直接确定发射光谱的半高全宽（FWHM）。
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