研究目的
研究采用双空穴注入层提升LARP法合成CsPbBr3纳米晶LED的性能
研究成果
引入由HAT-CN和MoO3组成的双空穴注入层（HIL）显著增强了倒置CsPbBr3纳米晶LED的空穴注入与传输能力，从而提高了电流效率和功率效率。该方法在其他光电器件中具有应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于利用双空穴注入层提升倒置CsPbBr3纳米晶LED的空穴注入效率，但未涉及这些器件在实际工作条件下的可扩展性与长期稳定性问题。
1：实验设计与方法选择：
研究采用改良LARP法合成CsPbBr3纳米晶，并通过构建HAT-CN/MoO3双空穴注入层来提升倒置LED结构的空穴注入效率。
2：样本选择与数据来源：
合成了CsPbBr3纳米晶并表征其光学及结构特性，制备了不同空穴注入层配置的倒置LED器件并进行测试。
3：实验设备与材料清单：
材料包括CsBr、PbBr2、油酸(OA)、油胺(OAm)、DMF、甲苯、乙酸乙酯、TMAH、醋酸锌二水合物、DMSO、无水乙醇、TCTA、MoO3和HAT-CN；设备包含旋涂机、真空热蒸镀腔室及XRD、TEM、紫外-可见光谱仪、光致发光光谱仪等表征工具。
4：油酸(OA)、油胺(OAm)、DMF、甲苯、乙酸乙酯、TMAH、醋酸锌二水合物、DMSO、无水乙醇、TCTA、MoO3和HAT-CN；设备包含旋涂机、真空热蒸镀腔室及XRD、TEM、紫外-可见光谱仪、光致发光光谱仪等表征工具。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：涵盖CsPbBr3纳米晶合成、LED器件制备及其电学/光学性能表征。
5：数据分析方法：
分析电致发光性能，包括电流密度-电压、亮度-电压、电流效率-亮度及功率效率-亮度特性曲线。
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CsBr
Aladdin
Precursor for CsPbBr3 NCs synthesis
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PbBr2
Aladdin
Precursor for CsPbBr3 NCs synthesis
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OA
Aladdin
Ligand for NCs synthesis
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OAm
Aladdin
Ligand for NCs synthesis
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DMF
J&K
Solvent for NCs synthesis
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Toluene
Sinopharm Chemical Reagent
Solvent for NCs synthesis
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Ethyl acetate
Aladdin
Solvent for NCs purification
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TMAH
Aladdin
Used in ZnO NPs synthesis
-
Zinc acetate dihydrate
Aladdin
Precursor for ZnO NPs synthesis
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DMSO
Aladdin
Solvent for ZnO NPs synthesis
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Absolute alcohol
Aladdin
Solvent for ZnO NPs synthesis
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TCTA
Luminescence Technology
Hole transport layer material
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MoO3
Alfa Aesar
Hole injection layer material
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HAT-CN
Jiangsu Sunera Technology
Hole injection layer material
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