研究目的
研究碳化硅（SiC）功率?？槿庾坝爰傻奈蠢捶⒄狗较颍氐阏故局饕际醭晒氪葱录芄?，识别技术瓶颈，并评估无引线键合三维封装方案在SiC功率?？橛τ弥械挠攀?。
研究成果
该论文得出结论：碳化硅功率器件潜力巨大，但受限于当前封装技术。三维无引线键合封装被视为碳化硅功率?？槲蠢捶⒄沟挠星熬胺较?，能降低寄生参数、改善热管理并提高功率密度。
研究不足
该论文未开展新的实验工作，而是对现有技术进行综述并找出差距。其局限性包括缺乏新的实验数据，且重点在于理论和概念上的进展。
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高性能碳化硅功率封装——过去趋势、当前实践与未来方向
DOI：10.3390/en10030341
期刊：Energies
出版年份：2017
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本文提出了碳化硅（SiC）功率模块未来三维封装与集成的愿景。重点介绍了碳化硅?？榇庸サ较衷谌〉玫闹饕删秃托掠奔芄埂；谡庑┘际踅?，我们识别出阻碍碳化硅功率器件充分发挥性能的关键技术瓶颈。通过调研提升硅基功率?？樾阅芩捎玫娜抟呒戏桨覆⑵拦榔溆攀?，为碳化硅功率封装的未来发展提供思路。文中还描述了当前三维无引线键合碳化硅功率模块的研究进展，并探讨了一种新型碳化硅功率?？榈纳杓评砟?。
作者：
Sayan Seal，Homer Alan Mantooth
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型号：ZEISS LSM 990 Spectral Multiplex
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