研究目的
制备用于电磁屏蔽的柔性、轻质且低成本的h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜。
研究成果
h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜具有增强的电磁干扰屏蔽效能，适用于电子、电信和航空航天领域的轻质低成本电磁屏蔽应用。
研究不足
该研究仅限于X波段频率范围（8-12 GHz），未探索其他频段。h-BNNPs的最大负载量为25 wt%，更高负载量的影响尚未研究。
1：实验设计与方法选择：
采用简单溶液浇铸法，以N,N-二甲基甲酰胺（DMF）为溶剂制备h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜。PVDF基体中h-BNNPs的浓度范围为0至25 wt%。
2：样品与数据来源：
PVDF粉末由印度Pragati Plastics Private Limited提供；平均粒径约70 nm的h-BNNPs及N,N-二甲基甲酰胺（DMF）购自印度Sisco Research Laboratories（SRL）PVT. LTD。
3：实验设备与材料清单：
Olympus BX-53交叉偏光显微镜（POM）、Carl Zeiss EVO/18SH扫描电子显微镜（SEM）、Perkin Elmer差示扫描量热仪（DSC-7）、Wayne Kerr 6500B精密阻抗分析仪、8510 C矢量网络分析仪（VNA）。
4：7）、Wayne Kerr 6500B精密阻抗分析仪、8510 C矢量网络分析仪（VNA）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：将PVDF粉末于60°C下完全溶解于DMF中约4小时；h-BNNPs通过室温超声分散于DMF中约30分钟；随后将h-BNNPs/DMF分散液倒入PVDF/DMF溶液中持续搅拌过夜，获得均匀的h-BNNPs/PVDF分散体系；将分散液倾倒于聚四氟乙烯培养皿中，在60°C热风烘箱中干燥约12小时以彻底蒸发溶剂。
5：数据分析方法：
采用POM和SEM评估h-BNNPs在PVDF基体中的分散与分布；通过DSC进行热分析；使用Wayne Kerr 6500B精密阻抗分析仪测试电学性能；利用8510 C矢量网络分析仪（VNA）研究h-BNNPs/PVDF纳米复合薄膜的电磁屏蔽效能（EMI SE）。
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Olympus BX-53 cross polarizing optical microscope
BX-53
Olympus
Evaluation of the dispersion and the distribution of h-BNNPs in the PVDF matrix
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Carl Zeiss EVO/18SH scanning electron microscope
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Study of the surface morphology of h-BNNPs/PVDF nanocomposite films
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Perkin Elmer differential scanning calorimeter
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Wayne Kerr
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