研究目的
研究低温下嵌入金属中的双能级量子发射体的非辐射衰减率和吸收率，并通过电子输运找到获取这些率的独特方法。
研究成果
该研究对金属中的非辐射衰减通道进行了微观描述，并证明非辐射衰减率和吸收率可通过电子输运测量确定。这对于理解和控制纳米尺度下的光-物质相互作用至关重要。
研究不足
该研究属于理论性研究，重点关注低温条件。研究结果的实践应用可能需要进行实验验证，并且可能受到所用金属体系和量子发射体特定性质的限制。
嵌入金属体系中的量子发射体的非辐射衰减和吸收速率：微观描述及其从电子输运中的确定
DOI：10.1103/PhysRevB.98.195116
期刊：Physical Review B
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
我们研究了低温下嵌入金属中的双能级量子发射体的非辐射衰减和吸收速率。我们推导出了两种非辐射跃迁速率的表达式，并发现了一种独特且可通过实验实现的途径——通过宿主金属系统中的电子输运来同时获取这两种非辐射跃迁速率。我们的研究不仅为金属中的非辐射通道提供了微观描述，还能帮助识别、确定这些通道并与其他衰减通道区分开来，这对于理解和控制纳米尺度下的光-物质相互作用至关重要。
作者：
M. B. Silva Neto，F. M. D’Angelis，P. P. P. Foster，F. A. Pinheiro
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