研究目的
研究碳化硅环形抛光参数的优化以实现超低表面粗糙度。
研究成果
研究表明，环形抛光工艺受抛光液、抛光垫材料、抛光时间及抛光盘转速影响显著。优化参数包括：转速140转/分钟、抛光时间150分钟，采用聚氨酯抛光垫与金刚石悬浮液，可使RB-SiC表面粗糙度达到1.31纳米。
研究不足
该研究假设试样与抛光盘之间无分离的完全接触、恒定的施加压力以及恒定的比例常数k，这可能无法完全捕捉抛光过程的动态特性。
1：实验设计与方法选择：
本研究首先基于普雷斯顿方程解析环形抛光中运动的复杂耦合关系，推导影响材料去除的关键参数。随后开展反应烧结碳化硅的系统性环形抛光实验，探究所推导参数对抛光表面质量的影响。
2：样本选择与数据来源：
实验采用反应烧结碳化硅试样。
3：实验设备与材料清单：
实验使用由抛光盘、承载盘和摆动支架组成的环形抛光机。抛光液包括氧化铝、二氧化硅和金刚石悬浮液。抛光垫包含麂皮、哑光皮革、合成革及聚氨酯材料。
4：实验流程与操作规范：
通过系统实验研究抛光液材质、抛光垫材质、抛光时间及抛光盘转速对表面粗糙度的影响。
5：数据分析方法：
采用泰勒霍普森表面轮廓仪测量表面粗糙度，分析结果以确定最优抛光参数。
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Taylor Hobson surface profiler
Taylor Hobson
Measuring the surface roughness of the specimen
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annular polisher
Polishing the silicon carbide specimens
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polyurethane polishing pad
Used in the polishing process to achieve smooth surface quality
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diamond suspension solution
Used as the polishing solution to achieve low surface roughness
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