研究目的
研究在适度范围内各向异性氧化后能形成特定目标轮廓的台面形状确定方法，重点聚焦于圆形氧化孔的制备。
研究成果
基于形态学膨胀/腐蚀方法来定义各向异性氧化过程中特定目标轮廓的待刻蚀台面形状已成功得到验证，能够制备直径范围为4至36微米的圆形氧化孔径。该方法相比限制快速氧化轴周围供水的方案具有更优的圆度。
研究不足
该方法高度依赖于氧化各向异性及其动力学特性，若氧化参数发生变化，则需进行参数测试。
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铝-III-V族半导体的各向异性侧向氧化：逆问题与圆形孔径制备
DOI：10.1088/1361-6641/aaf2f1
期刊：Semiconductor Science and Technology
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
含铝III-V族半导体的横向湿法氧化是一种将埋藏（薄层）晶体材料转化为非晶绝缘体的工艺技术，因此通常表现出各向异性特征。这导致半导体与绝缘体之间的界面形状（常称为氧化孔径）与氧化起始的刻蚀台面轮廓存在差异。这种差异使得依赖该工艺的器件设计更为复杂，尤其在需要特定氧化图案时尤为明显。本文提出一种基于形态学膨胀的方法，可在适度范围内通过各向异性氧化确定能形成特定目标轮廓的台面形状。该方法通过制备圆形氧化孔径进行了实验验证——这类高对称性结构本就难以制造，但对实现高效单模垂直腔面发射激光器却具有关键意义。
作者：
Stephane Calvez，Alexandre Arnoult，Antoine Monmayrant，Henri Camon，Guilhem Almuneau
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