研究目的
研究采用简单环保的溶胶-凝胶法制备的氧化锌锡（ZTO）薄膜在薄膜晶体管（TFT）中的应用及其对退火温度的依赖性。
研究成果
通过环保溶液工艺制备的无铟ZTO薄膜晶体管展现出高性能，包括高载流子迁移率和光学透明性，使其适用于低成本、高性能的氧化物TFT器件。最佳退火温度确定为500（摄氏度），在电学性能和稳定性之间实现了平衡。
研究不足
该研究聚焦于退火温度对ZTO薄膜及TFT性能的影响，但未深入探究其他潜在变量（如前驱体浓度或旋涂参数）。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用溶胶-凝胶法制备ZTO薄膜，重点研究退火温度对其结构和电学性能的影响。
2：样品选择与数据来源：
以SnCl?和ZnCl?分别作为锡源和锌源，乙醇为溶剂配制ZTO前驱体溶液。
3：实验设备与材料清单：
包括热重分析仪（TG，Q600）、日本理学Rigaku D/MAX-2500型X射线衍射仪（XRD）、岛津UV-2550紫外-可见分光光度计、日立S4800扫描电子显微镜（SEM）、VEECO Dimension 3100原子力显微镜（AFM）系统，以及配备Al Kα X射线源和K-Alpha能谱仪的X射线光电子能谱仪（XPS）。
4：0）、日本理学Rigaku D/MAX-2500型X射线衍射仪（XRD）、岛津UV-2550紫外-可见分光光度计、日立S4800扫描电子显微镜（SEM）、VEECO Dimension 3100原子力显微镜（AFM）系统，以及配备Al Kα X射线源和K-Alpha能谱仪的X射线光电子能谱仪（XPS）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：将ZTO前驱体溶液旋涂于Si/SiO?衬底，经预加热后分别在300°C至600°C温度下退火，随后通过热蒸发沉积Al源漏电极。
5：数据分析方法：
使用两台Keithley 2400分析仪在室温下测量薄膜晶体管的电学特性。
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获取完整内容-
UV-vis spectrophotometer
UV-2550
SHIMADZU
Analysis of the transmittance of the ZTO thin films
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Keithley 2400 analyzers
2400
Keithley
Measurement of the electrical characteristics of TFTs
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thermogravimetric analyzer
Q600
Thermogravimetric analysis of ZTO precursor
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X-Ray Diffraction
Rigaku D/MAX-2500
Measurement of the crystallinity of ZTO films
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Scanning Electron Microscopy
HITACHI S4800
Investigation of microstructure and morphology of the ZTO films
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Atomic Force Microscope
VEECO Dimension 3100
Investigation of microstructure and morphology of the ZTO films
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X-ray photoelectron spectroscope
K-Alpha
Analysis of the chemical composition of ZTO films
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