研究目的
对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中载流子迁移率的解析研究,重点分析各种散射机制以及工艺和几何参数的影响。
研究成果
该分析研究揭示了HEMT结构中电子迁移率的行为特性,重点阐明了各类散射机制及载流子浓度的影响。研究结果表明,合金无序性和界面粗糙度对迁移率具有显著影响,尤其在特定电子浓度条件下更为明显。
研究不足
该研究的局限性在于分析模型中的假设(如弛豫时间近似)以及所研究的AlGaN/GaN异质结构的特定特性。
研究目的
对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中载流子迁移率的解析研究,重点分析各种散射机制以及工艺和几何参数的影响。
研究成果
该分析研究揭示了HEMT结构中电子迁移率的行为特性,重点阐明了各类散射机制及载流子浓度的影响。研究结果表明,合金无序性和界面粗糙度对迁移率具有显著影响,尤其在特定电子浓度条件下更为明显。
研究不足
该研究的局限性在于分析模型中的假设(如弛豫时间近似)以及所研究的AlGaN/GaN异质结构的特定特性。
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