研究目的
研究碳化硅MOSFET短路保护方案的有效性，以确保其在电力转换系统中的可靠性和长期性能。
研究成果
针对碳化硅MOSFET的快速短路?；し桨敢殉晒ρ橹?，可在1微秒内检测故障并在2微秒内清除故障。经100次短路事件测试后，碳化硅MOSFET未出现明显性能退化，证实了该?；し桨傅挠行?。
研究不足
该研究的局限性在于当前碳化硅MOSFET的技术成熟度，以及缺乏其长期短路能力的广泛现场数据。?；し桨傅挠行砸言谔囟ú馐蕴跫碌玫窖橹ぃ诓煌诵谐【爸锌赡苄枰徊饺啡?。
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碳化硅器件短路保护的实验验证
DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.924.818
期刊：Materials Science Forum
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
本文展示了一种针对碳化硅MOSFET器件的有效短路?；し桨甘笛檠橹?。通过测量短路事件前后碳化硅器件的静态特性参数，证实器件保持了良好性能状态。鉴于当前碳化硅器件较低的短路耐受能力，研究团队实施了超快速短路保护方案。实验结果表明，该方案能确保碳化硅器件在经历一百次短路冲击后仍保持结构完整性。
作者：
Eddy Aeloiza，Arun Kadavelugu，Pietro Cairoli，Rostan Rodrigues
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