研究目的
基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理研究外横电场对扶手椅边缘硅烯纳米带（ASiNRs）有效质量和光学性质的影响。
研究成果
该研究表明，外部横向电场会显著改变ASiNRs的电子和光学特性，包括带隙、有效质量和光学各向异性。这些发现表明ASiNRs在光电器件和光电子化学应用中具有潜在用途。
研究不足
该研究并未修正DFT方法对带隙的低估问题，而是聚焦于外电场引发的相对变化。为避免人为场致发射效应，电场强度范围受到限制。
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扶手椅型硅烯纳米带横向电场调控的电学与光学性质
DOI：10.1016/j.cap.2018.11.001
期刊：Current Applied Physics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
在外部横向电场作用下，基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理研究了扶手椅型边缘硅烯纳米带（ASiNRs）的有效质量和光学性质。结果表明：与无外场情况相比，能隙随电场绝对值增大而单调减小，电子和空穴的有效质量则分别呈现非单调变化。总态密度（DOS）显示，在外电场作用下9-ASiNR呈现p型半导体特性。由于//x和//y方向虚部存在显著差异，9-ASiNR表现出光学各向异性。在//x方向，介电函数峰位均发生明显红移，这些峰位均与Si 3p轨道与Si 3p、3s轨道间的电子跃迁相关。
作者：
Dao-bang Lu，Yu-ling Song，Xiao-yu Huang
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