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采用简易球磨法制备的Cu2SrSnS4薄膜的光学与光电化学性能

DOI:10.1016/j.matlet.2018.11.083 期刊:Materials Letters 出版年份:2018 更新时间:2025-09-10 09:29:36
摘要: 通过简便的球磨法制备了地球丰度高且无毒性的四元硫族化合物Cu2SrSnS4。研究发现其形成源于Cu2SnS3与SrS在600℃下的反应。根据吸收测试推测,所制备的Cu2SrSnS4薄膜带隙约为1.78电子伏特。该薄膜的载流子寿命约为2.06纳秒。在相对于Ag/AgCl电极-670毫伏偏压下,Cu2SrSnS4薄膜的光电流密度约为150(单位缺失),经10次1000秒循环后性能保持稳定。其显著的光电流产生能力和光电化学稳定性表明其在光电转换应用中的潜力。
作者: Zhengfu Tong,Jiangyuan Yuan,Jiarui Chen,Anqi Wu,Weiwei Huang,Changcun Han,Qijun Cai,Chonghao Ma,Yang Liu,Li Fang,Zhifeng Liu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究Cu2SrSnS4薄膜的制备、光学特性及光电化学性能,探索其在光电转换应用中的潜力。

该研究通过简便的球磨法成功制备了Cu2SrSnS4薄膜,揭示了其形成过程、适合高效太阳能电池的带隙(1.78 eV)和载流子寿命(2.06 ns)。光电化学测试表明其作为p型半导体具有显著的光电流密度和稳定性,显示出在光电转换应用中的潜力。

在600摄氏度下制备的Cu2SrSnS4薄膜的多孔特性限制了其直接应用于太阳能电池器件,因此需要将其组装成光电化学电池以进行光伏性能分析。

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