研究目的
通过非金属掺杂向单层InSe引入磁性,以开发基于InSe的自旋电子器件。
研究成果
在富铟条件下,通过热力学优选方法可实现VA、VIA和VIIA族原子对InSe的掺杂。仅含奇数价电子的IA、IIIA和VA族非金属受主掺杂剂能诱导磁性,而VIIA族掺杂剂因铟-铟共价键作用无法实现。本研究为单层InSe自旋电子器件开发提供了指导。
研究不足
该研究仅限于理论计算,未包含实验验证。高形成能掺杂材料的合成具有挑战性,可能需要非平衡方法。
研究目的
通过非金属掺杂向单层InSe引入磁性,以开发基于InSe的自旋电子器件。
研究成果
在富铟条件下,通过热力学优选方法可实现VA、VIA和VIIA族原子对InSe的掺杂。仅含奇数价电子的IA、IIIA和VA族非金属受主掺杂剂能诱导磁性,而VIIA族掺杂剂因铟-铟共价键作用无法实现。本研究为单层InSe自旋电子器件开发提供了指导。
研究不足
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