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边缘定义薄膜馈送生长(EFG)法制备的SrI2及SrI2:Eu晶体的温度梯度设计与光学特性

DOI：10.1007/s11664-018-6820-6 期刊：Journal of Electronic Materials 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 本工作采用边缘限定薄膜供料生长（EFG）法，成功制备了尺寸为?10×9×60 mm3和?10×9×30 mm3的SrI?及SrI?:Eu5%单晶。通过设计温度场解决了晶体生长过程中的开裂与浑浊问题，从而优化晶体质量并获得无裂纹晶体。对生长晶体进行了X射线衍射分析，并研究了其室温光学性能。在紫外光激发下，晶体呈现中心波长435 nm（激发波长350 nm）的单发光峰，光致发光（PL）衰减时间为0.594 μs。此外，所设计的温度场也为其他EFG法生长晶体提供了参考依据。
作者： QIAN YAO，JUNYING ZHANG，LINTAO LIU，WEIMIN DONG，JING LI，JIYANG WANG
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

采用边缘限定薄膜供料生长(EFG)法研究SrI2和SrI2:Eu晶体的生长及光学特性，重点通过温度场设计优化晶体质量。

研究成果

该研究通过设计合适的温度梯度，成功采用导模法（EFG）生长出高质量的SrI2和SrI2:Eu5%晶体。对晶体的光学特性进行了表征，结果显示其在435纳米处呈现单一发光峰，衰减时间为0.594微秒。该温度场设计也为采用导模法生长其他晶体提供了参考。

研究不足

该研究的局限性在于SrI2:Eu对湿气和氧气的敏感性，这增加了加工难度并限制了晶体的使用。此外，由于分凝作用，生长晶体中实际的Eu2+浓度低于预期的5%。

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