研究目的
分析载流子输运过程相关效应以及合金晶体超晶格中缺陷和无序性对半导体材料电子结构变化的影响。
研究成果
半导体超晶格中的结构缺陷会显著影响半导体异质结构的光学特性。深入理解这些缺陷对于其控制与最小化至关重要。本文提出的理论模型揭示了能谱对超晶格缺陷的敏感性，为研究具有多样化无序特性的异质结构提供了重要见解。
研究不足
该研究主要集中于理论模型和量子力学计算，可能无法完全涵盖实际应用中的所有实验条件或材料行为。
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超晶格中的晶体合金半导体
DOI：10.4025/revtecnol.v24i1.26930
期刊：Revista Tecnológica
出版年份：2015
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
本研究从载流子输运过程相关效应及合金超晶格中因缺陷与无序状态导致的半导体材料电子结构变化入手进行分析。这些缺陷位于材料的特定区域，既可能发生相互作用也可能保持惰性，通常通过局域波函数进行描述。针对半导体晶体超晶格的研究需考量晶体无序效应、以及具有不同带隙和微带隙能量的两种半导体层交替周期性生长等重要参数。通过量子力学计算来确定半导体晶体的物理特性，本研究全面评估了缺陷与晶体无序状态的影响，并探讨了缺陷在周期排列、准周期排列及无序排列中的存在形式。该理论方法用于理解实验技术的机理及其表征半导体晶体电流输运与光学输运特性的实验结果。
作者：
Luciano Nascimento，Lourdes Cristina Lucena Agostinho Jamshidi，Celmy Maria B. de Menezes Barbosa，Reza Jamshidi Rodbari
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