研究目的
提出一种原创方法，可从单张电子束感应电流（EBIC）图像中提取少数载流子扩散长度分布图，并能用于研究非均匀掺杂样品。
研究成果
已开发出一种新方法，可从单一电子束感生电流（EBIC）图像中提取半导体器件的少数载流子扩散长度分布图。测量结果与样品设计预期高度吻合，且TCAD模拟结果与实测数据形态相似，尽管绝对扩散长度数值存在差异。
研究不足
微弱的电子束感生电流信号需要使用极高灵敏度的电流表进行测量，且少数载流子扩散长度仅能在前两层P型层中以绝对方式提取。对薄外延层或掺杂层的测量可能导致扩散长度被低估，因为其提取过程未在推荐条件下进行。
1：实验设计与方法选择：
该方法基于单次电子束感应电流（EBIC）采集，并通过分析每个扫描点上EBIC信号斜率的变化来进行研究。
2：样品选择与数据来源：
测量在一个包含深亚微米CMOS成像工艺制造的钉扎光电二极管阵列的样品上进行。
3：实验设备与材料清单：
EBIC采集在钨灯丝FEI Inspect S-50扫描电子显微镜（SEM）上进行，电子束加速电压设置为10 keV。SRS 570电流前置放大器连接到SEM的视频输入端以显示EBIC信号。
4：实验步骤与操作流程：
将光电二极管阵列切割并使用碳化硅砂纸和氧化铝胶体溶液（0.1 μm）抛光，最后将其键合到安装在SEM样品台上的封装中。
5：1 μm）抛光，最后将其键合到安装在SEM样品台上的封装中。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：计算每个点上的EBIC信号斜率变化，从而推导出少数载流子扩散长度。
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