研究目的
研究负电容场效应晶体管(NC-FETs)和压电场效应晶体管(π-FETs)的性能与工作原理,以应用于先进CMOS器件。
研究成果
NC-FET在亚阈值摆幅和导通电流方面表现更优,但动态特性面临挑战。π-FET则具有更快的开关速度和更低的动态功耗。未来低功耗CMOS技术中提出结合两种架构的混合解决方案。
研究不足
该研究基于文献报道,缺乏直接的实验验证。器件的动态特性和温度依赖性尚未得到充分研究。
研究目的
研究负电容场效应晶体管(NC-FETs)和压电场效应晶体管(π-FETs)的性能与工作原理,以应用于先进CMOS器件。
研究成果
NC-FET在亚阈值摆幅和导通电流方面表现更优,但动态特性面临挑战。π-FET则具有更快的开关速度和更低的动态功耗。未来低功耗CMOS技术中提出结合两种架构的混合解决方案。
研究不足
该研究基于文献报道,缺乏直接的实验验证。器件的动态特性和温度依赖性尚未得到充分研究。
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