研究目的
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备具有高度化学和结构均匀性的As-Se-Te硫系化合物薄膜样品。
研究成果
PECVD方法成功制备了As-Se-Te硫系化合物薄膜，在包括玻璃形成区以外的广泛成分范围内均具有高度的结构和化学均匀性。这些薄膜表现出低粗糙度和细晶粒结构，其光学性能取决于成分。本工作证明了PECVD在制备高质量相变材料方面的潜力。
研究不足
该研究聚焦于As-Se-Te薄膜的制备与初步表征。需进一步研究以探索其在器件中的应用，并优化PECVD工艺以实现工业化可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
选用PECVD法因其能制备高质量相变材料。该工艺通过砷、硒和碲蒸气在低压低温非平衡射频等离子体放电中的直接相互作用实现。
2：样品与数据来源：
以元素As、Se和Te为前驱体，高纯氩气作为等离子体进料气和载气。
3：实验设备与材料清单：
带外加热器的石英储液罐、带外感应线圈的石英烧瓶反应器、带基片座的不锈钢真空法兰、高纯石英玻璃及氯化钠基片。
4：实验流程与操作规范：
前驱体以30 ml/min恒定总流速输入等离子体放电区，基片温度维持5°C，沉积压强0.1 Torr，反应器壁温约150°C。射频发生器以40 MHz频率和30 W功率激发等离子体放电。
5：1 Torr，反应器壁温约150°C。射频发生器以40 MHz频率和30 W功率激发等离子体放电。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：EDX进行宏观成分分析，XRD确认非晶态物质，AFM检测表面粗糙度，拉曼光谱分析结构，透射/反射光谱测定光学特性。
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RF generator
40 MHz
Excites the plasma discharge for the PECVD process.
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Quartz reservoirs
Holds the elemental As, Se, and Te precursors.
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Quartz flask reactor
Serves as the plasma chemical reactor for film deposition.
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Stainless steel vacuum flange
Holds the substrate holder in the reactor.
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Substrate holder
Holds the substrates during film deposition.
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