研究目的
研究采用混合反应离子刻蚀（RIE）与电子束诱导刻蚀（EBIE）技术制备六方氮化硼（hBN）光子纳米结构，应用于量子光子学与声子极化激元领域。
研究成果
该研究展示了一种多功能纳米制造方法，用于从六方氮化硼（hBN）制备具有高品质因子的悬浮式和支撑式光子器件。这一方法为实现基于hBN及其他层状范德华材料的集成量子光子学平台迈出了重要一步。
研究不足
混合RIE-EBIE工艺可能因污染和微掩蔽效应导致制造伪影。该工艺需优化以最小化这些影响并实现最佳器件功能。
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六方氮化硼光子纳米结构
DOI：10.1002/adom.201801344
期刊：Advanced Optical Materials
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
基于层状范德华(vdW)材料的器件日益受到关注，这推动了新型纳米制造技术的发展。六方氮化硼(hBN)是量子光子学和声子极化激元研究领域最具前景的材料之一。本文详细报道了一种采用混合反应离子刻蚀(RIE)与电子束诱导刻蚀(EBIE)技术制备多种hBN光子器件的先进工艺。重点分析了RIE与EBIE技术的优缺点，并通过实验证明该混合方法能有效制备具有纳米级特征结构和高垂直侧壁的悬浮/支撑型器件。通过测量高品质光学腔模(Q≈1500)验证了所制器件的功能性。该纳米制造技术为构建基于hBN及其他层状vdW材料的集成化单片量子光子平台奠定了重要基础。
作者：
Johannes E. Fr?ch，Yongsop Hwang，Sejeong Kim，Igor Aharonovich，Milos Toth
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