研究目的
研究射频功率和Ar+H2流量对在室温下沉积于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上的氢化镓掺杂氧化锌（HGZO）薄膜电学与光学性能的影响，该薄膜有望应用于聚合物分散液晶（PDLC）器件。
研究成果
通过射频磁控溅射法在室温下成功在PET基底上沉积了高透明且导电的HGZO薄膜。优化后的工艺参数使薄膜电阻率达到7.1×10?? Ω·cm，在400-800 nm波长范围内平均透光率达77.3%。该HGZO薄膜是PDLC器件的理想电极候选材料。
研究不足
该研究仅限于室温沉积工艺以及射频功率和Ar+H2流量对HGZO薄膜的影响。潜在的优化方向包括进一步降低电阻率和改善光学性能。
1：实验设计与方法选择：
采用射频磁控溅射技术在室温下于PET基底上沉积HGZO薄膜，研究了射频功率及Ar+H?流量比的影响。
2：样品选择与数据来源：
沉积前对PET基底进行清洗和干燥处理。
3：实验设备与材料清单：
自制5 wt% GZO陶瓷靶材、超声波清洗机、氮气、射频磁控溅射系统、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔效应测试系统。
4：实验步骤与操作流程：
在室温（RT）环境下，使用92体积% Ar + 8体积% H?混合气体，通过调节流量和射频功率进行溅射沉积。
5：数据分析方法：
采用X射线衍射仪分析物相结构，共聚焦激光扫描显微镜观察表面形貌，分光光度计测量光学透过率，霍尔效应测试系统测定电学性能。
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