研究目的
基于环保材料的不同类别电阻开关的综述，讨论忆阻器制备过程中各种沉积机制，并探索基于不同切换材料和电极的透明柔性电阻开关。
研究成果
DIBS因其能实现大面积均匀性、精确的厚度控制及可控沉积，被强调为RRAM器件的重要制备工艺。研究指出，尽管实际应用仍需更多努力，但RRAM有望推动透明柔性电子技术的革新。
研究不足
器件性能的可变性以及制造方法间需要保持一致特性的要求是主要挑战。工业应用受限于漏电流等问题，这些都需要进行配置调整。
材料科学与工程参考?？?|| 基于环保、柔性和透明材料的高性能阻变存储器薄膜沉积工艺
DOI：10.1016/b978-0-12-803581-8.10533-8
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
1971年，雷欧·蔡教授创造了"忆阻器"这一术语，它与电阻器、电容器和电感器并列为第四种基本电子元件。但直到2008年，惠普公司（HP）的斯坦利·威廉姆斯才利用二氧化钛（TiO2）作为开关材料、铂（Pt）作为电极，首次实现了这种元件的实际器件。这种两端金属-绝缘体-金属（MIM）器件在施加激励电压或电流时，能在低电阻态（LRS）和高电阻态（HRS）之间实现可逆电阻转换（RS）。其中从高电阻态到低电阻态的转变称为"置位"（SET），对应电压为Vset；而从低电阻态到高电阻态的转变称为"复位"（RESET），对应电压为Vreset。低电阻态和高电阻态的阻值分别表示为RLRS和RHRS。
作者：
Amitesh Kumar，Mangal Das，Shaibal Mukherjee
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