研究目的
研究Pt/MgO/Ta/Ru结构中的单极非易失性电阻开关效应及其在非易失性存储器中的应用。
研究成果
在Pt/MgO/Ta/Ru结构中实现了无需电形成工艺的单极电阻开关。研究表明导通态电阻与置位电流合规性相关，且两种电阻态随时间具有良好的分离特性。
研究不足
关断/导通电阻比仍然较小，这可能是由于器件面积较大所致，随着尺寸缩小该比值应会增大。
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磁控溅射沉积的Pt/MgO/Ta/Ru结构中的单极非易失性电阻开关
DOI：10.1166/jnn.2017.12333
期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology
出版年份：2017
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
近期忆阻器（一种具有非易失性电阻转换特性的纳米器件）的实现，在非易失性存储器等领域引发了广泛的应用兴趣。本文报道了Pt/MgO/Ta/Ru结构中的单极电阻转换现象，其氧化物势垒层厚度仅为15纳米。实现电阻转换无需电形成过程，且导通态遵循欧姆传导机制。我们观察到导通态电阻与置位电流合规值呈反比关系，置位电压与复位电压的平均值分别为1.61伏和1.38伏。实验表明该转换特性在40个周期以上保持稳定，且导通态（101欧姆）与截止态（102欧姆）在至少104秒内保持明显区分。
作者：
L. M. Guerra，C. Dias，J. Pereira，H. Lv，S. Cardoso，P. P. Freitas，J. Ventura
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