研究目的
研究通过射频磁控溅射在晶体(111)YSZ基底上沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95层的形貌和结构特性，以及不同温度退火对这些特性的影响。
研究成果
研究表明，在YSZ晶体基底上溅射沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄膜随着退火温度升高结晶性得到改善，且GDC/YSZ界面未出现显著互扩散现象。最佳退火温度约为900°C。
研究不足
该研究仅限于非破坏性表征技术，且由于顶层区域厚度较小，未详细探究其化学计量组成。
溅射沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄缓冲层在Y稳定氧化锆晶体基底上的界面扩散研究——用于固体氧化物电池应用
DOI：10.4172/2169-0022.1000482
期刊：Journal of Material Science & Engineering
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
本文报道了通过射频磁控溅射在晶体(111)取向YSZ衬底上沉积的Gd0.1Ce0.9O1.95薄膜的形貌与结构特性研究结果。对室温原位生长的样品进行了600°C至1300°C不同温度的退火处理。原子力显微镜分析显示平均晶粒尺寸随退火温度升高而增大。X射线衍射测量表明晶粒沿(111)方向择优生长，且计算得到的c轴长度随退火温度升高而减小，这可能与样品过度氧化有关。针对700-1000°C退火的薄层进行的X射线反射率研究表明，在层/衬底界面和层/真空表面存在具有不同密度和粗糙度的区域，并探究了这些区域随温度的变化行为。所得结果似乎排除了GDC/YSZ界面存在显著互扩散现象的可能性。
作者：
Nunzia Coppola，Giovanni Carapella，Chiara Sacco，Pasquale Orgiani，Alice Galdi，Pierpaolo Polverino，Alberto Ubaldini，Luigi Maritato，Cesare Pianese
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