研究目的
了解GaN产品的基本失效模式、加速因子和可靠性统计数据以满足市场需求，特别是在关键的高压关态（HVOS）可靠性应力测试方面。
研究成果
所展示的数据表明，基于对失效物理、加速因子的理解以及通过FIT和PPM质量水平衡量的外部可靠性，TPH3205WSQA产品展现出与高压硅器件相当的可靠性。
研究不足
该研究假设器件的使用寿命直接与关态电压和温度相关，且未采用任何特定任务剖面。此外，失效加速必须能代表正常使用条件，因此测试需在器件击穿区以下较远处进行。
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[2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 美国佐治亚州亚特兰大市(2018.10.31-2018.11.2)] 2018年IEEE第六届宽禁带功率器件与应用研讨会(WiPDA) - 基于联合电子设备工程委员会(JEDEC)、汽车电子委员会(AEC)和德国电气电子制造商协会(ZVEI)标准的高压氮化镓开关可靠性FIT率与PPM可靠性
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DOI：10.1109/WiPDA.2018.8569128
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
电力转换市场采用任何半导体技术，都需要理解基本的失效模式、加速因子和可靠性统计数据。本研究展示了Transphorm的氮化镓产品如何应对这一挑战，特别是在关键的高压关断状态（HVOS）可靠性应力测试中。产品在使用头10至20年间的预期失效率尤为重要，因为它直接影响保修成本。通过统计显著数量的器件进行破坏性测试，并采用适当模型分析数据，可以满足这一市场需求。本文将讨论针对大样本量测量氮化镓可靠性的方法，这些方法完全基于现有工业和汽车标准。当失效模式和加速因子被充分理解时，所得数据可用于补充鉴定测试结果。
作者：
Ronald Barr，Jeff Haller，Ken Shono，Kurt Smith，Elena Georgieva，Jim McKay，Peter Smith，Rakesh Lal，Yifeng Wu
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