研究目的
研究阿伦尼乌斯加速寿命测试法在氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)寿命评估中的适用性。
研究成果
研究得出结论:单一直流应力、温度加速寿命测试未能反映氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的关键性能退化问题。需进一步研究射频工作状态下的应力影响。
研究不足
由于直接测量不可行,该研究依靠模拟数据和间接测量来估算温度。热阻估算的准确性存在显著误差。
研究目的
研究阿伦尼乌斯加速寿命测试法在氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)寿命评估中的适用性。
研究成果
研究得出结论:单一直流应力、温度加速寿命测试未能反映氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的关键性能退化问题。需进一步研究射频工作状态下的应力影响。
研究不足
由于直接测量不可行,该研究依靠模拟数据和间接测量来估算温度。热阻估算的准确性存在显著误差。
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