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P-1.1：背沟道蚀刻a-IGZO薄膜晶体管中阈值电压对沟道宽度和漏极电压的异常依赖性

DOI：10.1002/sdtp.12769 期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要： 制备了具有不同沟道宽度（Ws）的背沟道刻蚀（BCE）非晶InGaZnO薄膜晶体管。本研究发现阈值电压（VTH）的性能同时取决于沟道宽度（W）和漏极电压（VD）。结果表明，当W或VD相对较小时，二者均不会对VTH产生影响。然而，当W和VD都足够大时，会出现VTH随W增大或VD增大而异常升高的现象。该VTH与W、VD之间的异常依赖关系可通过自热效应来解释。
作者： Huan Yang，Xiaoliang Zhou，Shengdong Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究背沟道蚀刻非晶InGaZnO薄膜晶体管中阈值电压对沟道宽度和漏极电压的异常依赖性，并通过自热效应进行解释。

研究成果

研究表明，仅当通道宽度和漏极电压均较大时，BCE结构非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）的阈值电压会因高电流密度产生的自热效应而异常增加。这一发现对设计可靠的AMOLED电路具有重要意义，未来研究应着重解决实际应用中此类效应的抑制问题。

研究不足

该研究仅限于BCE结构a-IGZO TFT器件，可能无法推广至其他晶体管类型或材料。虽然自热效应的解释具有合理性，但需要通过进一步实验验证或建模来确认因果关系。优化方案可考虑探索更多器件参数或环境条件。

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