研究目的
提出一种新的制备工艺以控制CsPbBr3薄膜形貌，并研究其在具有多级电阻开关行为的忆阻器中的应用。
研究成果
该研究成功开发了一种利用BA后处理控制CsPbBr3薄膜形貌的方法，在忆阻器中实现了大晶粒和多级阻变特性。器件表现出高性能，开/关比Ron/Roff≈10^5，工作电压低至≈±1V，数据保持性良好（≥10^4秒），显示出电子应用的潜力。未来工作可聚焦于工艺优化及探索其他卤化物钙钛矿材料。
研究不足
薄膜形貌控制仅限于BA浓度不超过5%；更高浓度会导致分解。形貌变化的机制是推测性的，尚未完全证实。器件可扩展性及超过10^4秒的长期稳定性尚未进行广泛测试。
1：实验设计与方法选择：
采用热喷涂工艺制备CsPbBr3薄膜，后处理使用丁酸(BA)作为表面活性剂调控形貌。该方法旨在解决铯盐前驱体溶解度低的问题。
2：样品选择与数据来源：
使用FTO玻璃基底。配制CsBr和PbBr2的DMF前驱体溶液进行喷涂，后处理采用甲醇溶液旋涂BA。
3：实验设备与材料清单：
化学试剂包括PbBr2、CsBr、DMF、BA、甲醇；设备包含紫外臭氧清洗机、喷涂机、旋涂仪、退火炉、Au电极沉积用溅射系统、傅里叶红外光谱仪、场发射扫描电镜(Quanta 250FEG)、能谱仪、X射线衍射仪(Bruker D8)、Keithley 4200源表。
4：CsBr、DMF、BA、甲醇；设备包含紫外臭氧清洗机、喷涂机、旋涂仪、退火炉、Au电极沉积用溅射系统、傅里叶红外光谱仪、场发射扫描电镜(Quanta 250FEG)、能谱仪、X射线衍射仪(Bruker D8)、Keithley 4200源表。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：紫外臭氧清洗FTO基底；配制前驱体溶液；100℃喷涂；旋涂BA溶液；250℃退火2小时；溅射沉积Au电极；通过红外、电镜、能谱、XRD表征；用Keithley 4200测量阻变特性。
5：数据分析方法：
红外光谱检测BA，电镜观察形貌，能谱进行元素分析，XRD分析晶体结构，I-V测试阻变行为，拟合欧姆和空间电荷限制传导模型。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
X-ray diffractometer
Bruker D8
Bruker
Perform X-ray diffraction measurements to determine the crystal structure of the CsPbBr3 films.
-
SourceMeter
Keithley 4200
Keithley
Characterize the resistive switching behaviors of the memory devices by measuring current-voltage (I-V) characteristics.
-
Fourier infrared spectrometer
Analyze infra-red spectroscopies of the CsPbBr3 films to detect the presence of butyric acid.
-
Field-emission scanning electron microscopy
Quanta 250FEG
Observe the surface morphology of the CsPbBr3 films.
-
Energy dispersive X-ray spectroscopy
Analyze the elemental compositions of the CsPbBr3 films.
-
UV/O3 cleaner
Clean and treat the FTO glass substrates before coating.
-
Radio frequency magnetron sputtering system
Deposit the Au top electrode onto the CsPbBr3 films.
-
登录查看剩余5件设备及参数对照表
查看全部
