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复合剂三乙醇胺介导的室温下通过SILAR技术合成纳米晶CuO薄膜

DOI：10.1016/j.spmi.2019.01.011 期刊：Superlattices and Microstructures 出版年份：2019 更新时间：2025-10-24 16:32:58
摘要： 在本研究中，采用连续离子层吸附与反应（SILAR）技术在室温下成功于玻璃基底上沉积了纳米结构氧化铜（CuO）薄膜。系统考察了络合剂三乙醇胺（TEA）对纳米晶CuO薄膜结构、形貌、光学及电学特性的影响。结构分析证实所有薄膜均呈多晶态，具有单斜晶系结构并显示(111)和(111)择优取向，估算晶粒尺寸范围为17.47至19.95纳米。通过扫描电子显微镜和材料显微镜观察发现，CuO薄膜表面均匀分布着纳米结构。光学研究表明，随着TEA浓度增加，CuO薄膜带隙能从1.33 eV提升至2.00 eV，同时所有薄膜的平均透射率从2.5%增至42.5%。傅里叶变换红外光谱证实了单相CuO的形成及络合剂的化学键合。未添加TEA时制备的CuO薄膜电阻率为3.74×10^5 Ω·cm，当TEA浓度为1.0 M%时电阻率升至509×10^5 Ω·cm。在0.25 M%络合剂浓度下获得了786×10^{-12} Ω^{-1}的高品质因数。
作者： H. Cavusoglu，R. Aydin
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究以三乙醇胺（TEA）为络合剂采用SILAR技术制备CuO薄膜的影响，理解其生长机制以及对结构、形貌、光学和电学特性的影响。

研究成果

采用SILAR法并使用三乙醇胺（TEA）成功合成了CuO薄膜，研究表明TEA浓度显著影响薄膜的结构、形貌、光学及电学性能。当TEA浓度为0.25 M%时获得最优性能（具有高优值），表明其具备光电器件应用潜力。未来研究可探索其他添加剂或合成方法。

研究不足

该研究仅限于特定茶碱浓度和SILAR方法；未探索其他络合剂或沉积技术。室温合成可能并非适用于所有应用场景，且未涉及可扩展性或工业适用性。

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